Drukuj stronę
STW12N150K5
MOSFET mocy, Kanał typu N, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTW12N150K5
Nr katalogowy Farnell3367080
Asortyment produktówMDmesh K5
Karta katalogowa
6 009 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 35,790 zł |
| 5+ | 32,160 zł |
| 10+ | 28,570 zł |
| 50+ | 24,940 zł |
| 100+ | 21,350 zł |
| 250+ | 17,720 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
35,79 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTW12N150K5
Nr katalogowy Farnell3367080
Asortyment produktówMDmesh K5
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds1.5kV
Prąd ciągły Id drenu7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1.6ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy250W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówMDmesh K5
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
STW12N150K5 is a N-channel MDmesh™ K5 power MOSFET. It is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Suitable for switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- 1500V min drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TCASE = 25°C)
- 1µA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 1500V, TCASE = 25°C)
- 4V typ gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- 1.6ohm typ static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 3.5A, TCASE = 25°C)
- 1360pF typ input capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 80pF typ output capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 47nC typ total gate charge (VDD = 1200V, ID = 7A, VGS = 10V, TCASE = 25°C)
- TO-247 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
7A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
250W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
1.5kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1.6ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
MDmesh K5
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00443