Drukuj stronę
STW13NK60Z
MOSFET mocy, Kanał typu N, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTW13NK60Z
Nr katalogowy Farnell9803866
Karta katalogowa
67 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 12,110 zł |
| 10+ | 9,960 zł |
| 100+ | 9,330 zł |
| 500+ | 9,160 zł |
| 1000+ | 8,950 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
12,11 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTW13NK60Z
Nr katalogowy Farnell9803866
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds600V
Prąd ciągły Id drenu13A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.48ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.75V
Rozproszenie mocy150W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
STW13NK60Z to SuperMESH™ N-kanałowy MOSFET mocy oferujący zabezpieczenie diodą Zenera i zminimalizowane ładunek bramki. SuperMESH™ otrzymywany jest poprzez znaczną optymalizację dobrze znanego układu listwowego PowerMESH™. Oprócz znacznego obniżenia rezystancji ON, dużą troskę przywiązuje się do zapewnienia bardzo dobrych możliwości dV/dt dla większości wymagających aplikacji.
- Bardzo niska pojemność wewnętrzna
- Bardzo dobre możliwości produkcyjne
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
13A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
150W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
600V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.48ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
3.75V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STW13NK60Z
Znaleziono 3 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.006
Śledzenie produktu