Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 873 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
5+ | 1,770 zł |
50+ | 1,100 zł |
100+ | 0,950 zł |
500+ | 0,840 zł |
1000+ | 0,810 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
8,85 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaTL062IDT
Nr katalogowy Farnell1750149
Karta katalogowa
Liczba kanałów2Channels
Pole wzmocnienia (GBW)1MHz
Typowa prędkość narastania3.5V/µs
Zakres napięcia zasilania6V do 36V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów8Pins
Typ wzmacniaczaMałej mocy
Rail-to-rail-
Napięcie niezrównoważenia wejścia3mV
Prąd polaryzacji wejścia30pA
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.105°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Szerokość pasma1MHz
Liczba wzmacniaczy2 wzmacniacze
Szybkość narastania (slew rate)3.5V/µs
Specyfikacja
The TL062IDT is a low-power high-speed dual JFET input Operational Amplifier incorporates well matched, high-voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit. The device features high slew rates, low input bias and offset currents and a low offset voltage temperature coefficient.
- Wide common-mode (up to VCC+) and differential voltage ranges
- Output short-circuit protection
- High input impedance JFET input stage
- Internal frequency compensation
- Latch-up free operation
- 200μA Very low power consumption
- 680mW Power dissipation
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
2Channels
Typowa prędkość narastania
3.5V/µs
Obudowa układu IC
SOIC
Typ wzmacniacza
Małej mocy
Napięcie niezrównoważenia wejścia
3mV
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
105°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Liczba wzmacniaczy
2 wzmacniacze
Pole wzmocnienia (GBW)
1MHz
Zakres napięcia zasilania
6V do 36V
Liczba pinów
8Pins
Rail-to-rail
-
Prąd polaryzacji wejścia
30pA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Szerokość pasma
1MHz
Szybkość narastania (slew rate)
3.5V/µs
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze TL062IDT
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000124
Śledzenie produktu