Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
81 414 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
5+ | 2,220 zł |
50+ | 1,410 zł |
100+ | 1,220 zł |
500+ | 1,080 zł |
1000+ | 1,040 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
11,10 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaTL072IDT
Nr katalogowy Farnell1750153
Karta katalogowa
Liczba kanałów2Channels
Pole wzmocnienia (GBW)4MHz
Typowa prędkość narastania16V/µs
Zakres napięcia zasilania6V do 36V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów8Pins
Typ wzmacniaczaNiskoszumowy
Rail-to-rail-
Napięcie niezrównoważenia wejścia3mV
Prąd polaryzacji wejścia20pA
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.105°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Szerokość pasma4MHz
Liczba wzmacniaczy2 wzmacniacze
Szybkość narastania (slew rate)16V/µs
Specyfikacja
Niskoszumowy, podwójny wzmacniacz operacyjny JFET. Wzmacniacze operacyjne z wejściem JFET posiadają dopasowane, wysokonapięciowe tranzystory JFET oraz bipolarne w monolitycznym układzie scalonym. Układ ma niskie prędkości narastania, niską wartość wejściową typu bias, niskie napięcie typu offset, a także niski współczynnik temperaturowy napięcia typu offset.
- Szeroki zakres trybu common mode (do VCC+) i szeroki zakres napięcia różnicowego
- Niski prąd polaryzacji i niezrównoważenia wejścia
- Niska wartość szumu (typowo) en = 15 nV / √Hz
- Wyjściowe zabezpieczenie przeciwzwarciowe
- Wysoka impedancja wejściowa - stopień wejścia JFET
- Niewielkie zniekształcenia harmoniczne: typowo 0,01%
- Wewnętrzna kompensacja częstotliwościowa
- Działanie bezzatrzaskowe
- High slew rate of 16V/µs (typ)
- Operating temperature range from -40°C to 125°C
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
2Channels
Typowa prędkość narastania
16V/µs
Obudowa układu IC
SOIC
Typ wzmacniacza
Niskoszumowy
Napięcie niezrównoważenia wejścia
3mV
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
105°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Liczba wzmacniaczy
2 wzmacniacze
Pole wzmocnienia (GBW)
4MHz
Zakres napięcia zasilania
6V do 36V
Liczba pinów
8Pins
Rail-to-rail
-
Prąd polaryzacji wejścia
20pA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Szerokość pasma
4MHz
Szybkość narastania (slew rate)
16V/µs
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0002