Drukuj stronę
TS27L2IDT
Wzmacniacz operacyjny, podwójny, 2 kanały/-ów, 100 kHz, 0.04 V/µs, 3V do 16V, SOIC, 8 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaTS27L2IDT
Nr katalogowy Farnell2474050
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 15 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 2500+ | 1,410 zł |
| 7500+ | 1,380 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 2500
Wiele: 2500
3 525,00 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaTS27L2IDT
Nr katalogowy Farnell2474050
Karta katalogowa
Liczba kanałów2Channels
Pole wzmocnienia (GBW)100kHz
Typowa prędkość narastania0.04V/µs
Zakres napięcia zasilania3V do 16V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów8Pins
Typ wzmacniaczaMałej mocy
Rail-to-rail-
Napięcie niezrównoważenia wejścia1.1mV
Prąd polaryzacji wejścia1pA
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.125°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Szerokość pasma100kHz
Liczba wzmacniaczy2 wzmacniacze
Szybkość narastania (slew rate)0.04V/µs
Specyfikacja
The TS27L2IDT is a precision very low power dual CMOS Operational Amplifier ideally suited for low consumption applications. This operational amplifier uses the ST silicon gate CMOS process allowing an excellent consumption-speed ratio. This CMOS amplifier offers very high input impedance and extremely low input currents. The major advantage versus JFET devices is the very low input currents drift with temperature.
- Excellent phase margin on capacitive load
- Output voltage can swing to ground
- Stable and low offset voltage
- 10µA/amplifier Very low power consumption
- ±18V Differential input voltage
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
2Channels
Typowa prędkość narastania
0.04V/µs
Obudowa układu IC
SOIC
Typ wzmacniacza
Małej mocy
Napięcie niezrównoważenia wejścia
1.1mV
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
125°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Liczba wzmacniaczy
2 wzmacniacze
Pole wzmocnienia (GBW)
100kHz
Zakres napięcia zasilania
3V do 16V
Liczba pinów
8Pins
Rail-to-rail
-
Prąd polaryzacji wejścia
1pA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Szerokość pasma
100kHz
Szybkość narastania (slew rate)
0.04V/µs
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Morocco
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0002
Śledzenie produktu