Drukuj stronę
SFH 4171B-CB2DB1
Emiter podczerwieni, 860 nm, 35 °, SMD, 630 mW/Sr
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentAMS OSRAM GROUP
Nr części producentaSFH 4171B-CB2DB1
Nr katalogowy Farnell4666511
Asortyment produktówSFH 4171B Series
Karta katalogowa
1 778 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 6,330 zł |
| 50+ | 4,220 zł |
| 100+ | 3,770 zł |
| 500+ | 3,420 zł |
| 1000+ | 3,310 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
31,65 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentAMS OSRAM GROUP
Nr części producentaSFH 4171B-CB2DB1
Nr katalogowy Farnell4666511
Asortyment produktówSFH 4171B Series
Karta katalogowa
Szczytowa długość fali860nm
Kąt intensywności połówkowej35°
Rodzaj obudowy diodySMD
Intensywność promieniowania630mW/Sr
Czas narastania-
Czas opadania tf-
Prąd przewodzenia If(AV)1A
Napięcie przewodzenia VF, maks.1.95V
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.105°C
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Asortyment produktówSFH 4171B Series
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SFH 4171B-CB2DB1 is an OSLON® P1616 lens. This high power infrared emitter is suitable for access control & security, authentication, eye, face and hand tracking, factory automation, home & building automation, medical lighting applications.
- ESD: 2KV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM)
- IR light source with high efficiency and clear silicone package
- 1000mA forward current at TA = 25°C
- 5V max reverse voltage
- Operating temperature range from -40°C to 105°C
- 860nm typ peak wavelength at IF = 1000mA; tp = 10ms; TA = 25°C
- 850nm typ centroid wavelength at IF = 1000mA; tp = 10ms; TA = 25°C
- 33nm typ spectral bandwidth at 50% Irel,max (FWHM)
- 35° half angle, 1.95V max forward voltage, 940mW total radiant flux (F = 1A, tp = 100 µs)
- 630mW/sr radiant intensity at IF = 1A; tp = 10ms
Specyfikacje techniczne
Szczytowa długość fali
860nm
Rodzaj obudowy diody
SMD
Czas narastania
-
Prąd przewodzenia If(AV)
1A
Temperatura robocza, min.
-40°C
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kąt intensywności połówkowej
35°
Intensywność promieniowania
630mW/Sr
Czas opadania tf
-
Napięcie przewodzenia VF, maks.
1.95V
Temperatura robocza, maks.
105°C
Asortyment produktów
SFH 4171B Series
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001
Śledzenie produktu