Drukuj stronę
INA111BU
Wzmacniacz pomiarowy, 1 kanały/-ów, 500 µV, 17 V/µs, 2 MHz, ± 6V do ± 18V, SOIC
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
993 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 89,460 zł |
| 10+ | 71,700 zł |
| 25+ | 67,270 zł |
| 50+ | 61,870 zł |
| 100+ | 60,640 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
89,46 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentTEXAS INSTRUMENTS
Nr części producentaINA111BU
Nr katalogowy Farnell3116794
Liczba kanałów1Channels
Napięcie niezrównoważenia wejścia500µV
Typowa prędkość narastania17V/µs
Pole wzmocnienia (GBW)2MHz
Zakres napięcia zasilania± 6V do ± 18V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów16Pins
Współczynnik CMRR115dB
Typ wzmacniacza pomiarowegoWejście FET, duża prędkość
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Liczba wzmacniaczy1 wzmacniacz
Szybkość narastania (slew rate)17V/µs
Szerokość pasma2MHz
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Wyjście wzmacniaczaAsymetryczne
Specyfikacja
The INA111BU is a high speed FET-input Instrumentation Amplifier offering excellent performance. The INA111 uses a current-feedback topology providing extended bandwidth (2MHz at G=10) and fast settling time (4ms to 0.01% at G=100). A single external resistor sets any gain from 1 to over 1000. Offset voltage and drift is laser trimmed for excellent DC accuracy. The INA111’s FET inputs reduce input bias current to under 20pA, simplifying input filtering and limiting circuitry.
- 20pA Maximum FET input
- 4μs (G=100, 0.01%) High speed
- 5μV/°C Maximum low offset voltage drift
- ±0.005% Maximum non-linearity
- Green product and no Sb/Br
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
1Channels
Typowa prędkość narastania
17V/µs
Zakres napięcia zasilania
± 6V do ± 18V
Liczba pinów
16Pins
Typ wzmacniacza pomiarowego
Wejście FET, duża prędkość
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Szybkość narastania (slew rate)
17V/µs
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Napięcie niezrównoważenia wejścia
500µV
Pole wzmocnienia (GBW)
2MHz
Obudowa układu IC
SOIC
Współczynnik CMRR
115dB
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Liczba wzmacniaczy
1 wzmacniacz
Szerokość pasma
2MHz
Wyjście wzmacniacza
Asymetryczne
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000424
Śledzenie produktu