Drukuj stronę
TK5R1P08QM,RQ(S2
MOSFET mocy, Kanał typu N, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentTOSHIBA
Nr części producentaTK5R1P08QM,RQ(S2
Nr katalogowy Farnell4173128RL
Asortyment produktówU-MOSX-H Series
Inna nazwaTK5R1P08QM, TK5R1P08QM,RQ
Karta katalogowa
490 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 4,170 zł |
| 500+ | 3,320 zł |
| 1000+ | 3,140 zł |
| 5000+ | 2,640 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
437,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentTOSHIBA
Nr części producentaTK5R1P08QM,RQ(S2
Nr katalogowy Farnell4173128RL
Asortyment produktówU-MOSX-H Series
Inna nazwaTK5R1P08QM, TK5R1P08QM,RQ
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds80V
Prąd ciągły Id drenu105A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”4200µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.5V
Rozproszenie mocy104W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówU-MOSX-H Series
Kwalifikacja-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
105A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
104W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
80V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
4200µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3.5V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
U-MOSX-H Series
Substancje SVHC
To Be Advised
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00033
Śledzenie produktu