TLP293-4(E(T

TLP293-4(E(T) składa się z fototranzystorów optycznie sprzężonych z diodami emitującymi podczerwień. Fotoizolator TLP293-4 jest umieszczony w bardzo małej i cienkiej obudowie SO16. Ma gwarantowany szeroki zakres temperatury roboczej (Ta=-55 do 125˚C) i wysokie napięcie izolacji (3750Vrms) i nadaje się do zastosowań w montażu powierzchniowym o dużej gęstości, takich jak programowalne sterowniki. Normy bezpieczeństwa to UL 1577, nr pliku E67349, CSA Component Acceptance Service No.5A nr pliku E67349.

• Napięcie przebicia kolektor-emiter wynosi min. 80 V (IC = 0,5 mA, Ta = 25°C)
• Wzmocnienie transoptora CTR od 50 do 600% (IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C)
• Napięcie izolacji wynosi min. 3750 Vrms (prąd przemienny, 60 s, Ta = 25°C)
• Napięcie wejściowe przewodzenia wynosi typowo 1,25 V (IF = 10 mA, Ta = 25°C)
• Napięcie przebicia emiter-kolektor wynosi min. 7 V (IE = 0,1 mA, Ta = 25°C)
• Współczynnik przenoszenia prądu nasyconego wynosi typowo 60% (IF = 1 mA, VCE = 0,4 V, Ta = 25°C)
• Prąd kolektora w stanie wyłączonym wynosi maks. 10 µA (VF = 0,7 V, VCE = 48 V, Ta = 25°C)
• Całkowita pojemność (wejście do wyjścia) wynosi 0,8 pF (VS = 0 V, f = 1 MHz, Ta = 25°C)
• Rezystancja izolacji wynosi typowo 10¹⁴ (VS = 500 V, RH≤ 60%, Ta = 25°C)
• Rodzaj obudowy: SOIC, 16 wyprowadzeń, zakres temperatury roboczej od -55 do 125°C