Drukuj stronę
TS256MLQ64V8U
Moduł pamięci RAM, 2 GB, 800 MHz, PC2-6400, 240-pinowa DDR2 DIMM, DIMM do komputera stajonarnego
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
203 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 626,290 zł |
| 5+ | 612,530 zł |
| 10+ | 549,400 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
626,29 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentTRANSCEND
Nr części producentaTS256MLQ64V8U
Nr katalogowy Farnell2365400
Karta katalogowa
Gęstość pamięci2GB
Prędkość pamięci800MHz
Pamięć modułowaPC2-6400
Współczynnik kształtu modułu240-pinowa DDR2 DIMM
Zastosowanie pamięciDIMM do komputera stajonarnego
Konfiguracja pamięci-
Napięcie zasilania, min.1.7V
Napięcie zasilania, maks.1.9V
Napięcie zasilania, znamionowe1.8V
Temperatura robocza, min.0°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Specyfikacja
The TS256MLQ64V8U is a 128M x 8 DRAM high-speed low power memory DDR2 Unbuffered DIMM use DDR2 SDRAM and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. It is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. The synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. The data I/O transactions are possible on both edges of DQS, range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
- Programmable sequential/interleave burst mode
- Bi-directional differential data-strobe
- Off-chip driver (OCD) impedance adjustment
- MRS cycle with address key programs
- On die termination
- Serial presence detect with EEPROM
Specyfikacje techniczne
Gęstość pamięci
2GB
Pamięć modułowa
PC2-6400
Zastosowanie pamięci
DIMM do komputera stajonarnego
Napięcie zasilania, min.
1.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
1.8V
Temperatura robocza, maks.
85°C
Substancje SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Prędkość pamięci
800MHz
Współczynnik kształtu modułu
240-pinowa DDR2 DIMM
Konfiguracja pamięci
-
Napięcie zasilania, maks.
1.9V
Temperatura robocza, min.
0°C
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.017872