Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Nr części producentaOPB703WZ
Nr katalogowy Farnell1678631
Karta katalogowa
875 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 18,610 zł |
| 5+ | 18,230 zł |
| 10+ | 17,850 zł |
| 50+ | 17,470 zł |
| 100+ | 17,090 zł |
| 250+ | 16,750 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
18,61 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Nr części producentaOPB703WZ
Nr katalogowy Farnell1678631
Karta katalogowa
Metoda wykrywaniaOdblaskowy
Odległość wykrywania / szerokość szczeliny-
Napięcie zasilania, min.-
Odległość wyczuwania3.81mm
Prąd przewodzenia If40mA
Napięcie zasilania, maks.-
Obudowa/opakowanie czujnikaModuł
Napięcie wsteczne Vr2V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo30V
Maks. napięcie kolektor-emiter30V
Napięcie przewodzenia1.7V
Maks. prąd kolektora IC25mA
Typ wyjścia czujnikaFototranzystor
Klasa IP-
Montowanie czujnikaKabel
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.80°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The <bold>OPB703</bold> consist of an Infrared (890nm) Light Emitting Diode (LED) and a NPN silicon Phototransistor, mounted side-by-side on converging optical axes in a black plastic housing and are designed for PCBoard mounting. The <bold>OPB703WZ</bold> are designed for remote mounting utilizing interconnect wires of UL approved 26 AWG, 24” (61.0cm) minimum length, stripped and tinned. The phototransistor responds to illumination from the emitter when a reflective object passes within the field of view centered typically at 0.15” (3.8 mm).
- Phototransistor output
- High sensitivity
- Low-cost plastic housing
- Available with lenses for dust protection and ambient light filtration
- Focused for maximum sensitivity
Specyfikacje techniczne
Metoda wykrywania
Odblaskowy
Napięcie zasilania, min.
-
Prąd przewodzenia If
40mA
Obudowa/opakowanie czujnika
Moduł
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
30V
Napięcie przewodzenia
1.7V
Typ wyjścia czujnika
Fototranzystor
Montowanie czujnika
Kabel
Temperatura robocza, maks.
80°C
Kwalifikacja
-
Odległość wykrywania / szerokość szczeliny
-
Odległość wyczuwania
3.81mm
Napięcie zasilania, maks.
-
Napięcie wsteczne Vr
2V
Maks. napięcie kolektor-emiter
30V
Maks. prąd kolektora IC
25mA
Klasa IP
-
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.006635