Drukuj stronę
OPB706B
Odbiciowy przerywacz optyczny, seria OPB706, fototranzystor, przewlekany, 1.27 mm, 50 mA, 2 Vr
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Nr części producentaOPB706B
Nr katalogowy Farnell4890991
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 9,660 zł |
| 10+ | 9,580 zł |
| 25+ | 9,500 zł |
| 50+ | 9,370 zł |
| 100+ | 9,280 zł |
| 500+ | 9,120 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
9,66 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Nr części producentaOPB706B
Nr katalogowy Farnell4890991
Karta katalogowa
Metoda wykrywaniaOdblaskowy
Odległość wykrywania / szerokość szczeliny1.27mm
Odległość wyczuwania1.27mm
Napięcie zasilania, min.-
Napięcie zasilania, maks.-
Prąd przewodzenia If50mA
Napięcie wsteczne Vr2V
Obudowa/opakowanie czujnikaModuł
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo24V
Maks. napięcie kolektor-emiter30V
Maks. prąd kolektora IC25mA
Napięcie przewodzenia1.7V
Typ wyjścia czujnikaFototranzystor
Klasa IP-
Montowanie czujnikaPrzewlekane
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The OPB706B series Reflective Object Sensor that consists of an infrared Light Emitting Diode (LED) and an NPN silicon Phototransistor mounted “side-by-side” on parallel axes in a black plastic housing. On the sensor, the LED and Phototransistor are molded using dark infrared transmissive plastic to reduce ambient light noise. The Phototransistor, responds to light from the emitter when a reflective object passes within its field of view of the device.
- Phototransistor output
- Unfocused for sensing diffuse surface
- Plastic housing
- Designed for use with PCB or connectors
- Strong on dust and dirt
- Stronger noise resistance
- Strong even in cold environments
- Beam axis alignment made easy with a high luminance spot beam
- Reduction of volume adjustment labour
- Can be used for sensing minute differences
- BGS/FGS functions
Specyfikacje techniczne
Metoda wykrywania
Odblaskowy
Odległość wyczuwania
1.27mm
Napięcie zasilania, maks.
-
Napięcie wsteczne Vr
2V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
24V
Maks. prąd kolektora IC
25mA
Typ wyjścia czujnika
Fototranzystor
Montowanie czujnika
Przewlekane
Temperatura robocza, maks.
85°C
Kwalifikacja
-
Odległość wykrywania / szerokość szczeliny
1.27mm
Napięcie zasilania, min.
-
Prąd przewodzenia If
50mA
Obudowa/opakowanie czujnika
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
30V
Napięcie przewodzenia
1.7V
Klasa IP
-
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000726