Drukuj stronę
3 685 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,240 zł |
| 10+ | 0,750 zł |
| 100+ | 0,470 zł |
| 500+ | 0,340 zł |
| 1000+ | 0,270 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
6,20 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaBAS381-TR3
Nr katalogowy Farnell1651140
Asortyment produktówBAS38
Karta katalogowa
Konfiguracja diodyPojedyncze
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne40V
Średni prąd przewodzenia30mA
Maks. napięcie przewodzenia1V
Prąd udarowy przewodzenia500mA
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy diodyMicroMELF
Liczba pinów2Pins
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej-
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
Asortyment produktówBAS38
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BAS381-TR3
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
Small signal schottky diode. It is suitable for use in general purpose and switching Schottky barrier diode, HF-detector, protection circuit, diode for low currents with a low supply voltage, small battery charger, power supplies and DC/DC converter for notebooks.
- Integrated protection ring against static discharge
- Low capacitance
- Low leakage current
- Low forward voltage drop
- Very low switching time
- AEC-Q101 qualified
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja diody
Pojedyncze
Średni prąd przewodzenia
30mA
Prąd udarowy przewodzenia
500mA
Rodzaj obudowy diody
MicroMELF
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej
-
Asortyment produktów
BAS38
Substancje SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne
40V
Maks. napięcie przewodzenia
1V
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
2Pins
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
AEC-Q101
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000097
Śledzenie produktu