Drukuj stronę
IRF740ASPBF
MOSFET mocy, Kanał typu N, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
240 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 11,940 zł |
| 10+ | 5,650 zł |
| 100+ | 5,060 zł |
| 500+ | 4,640 zł |
| 1000+ | 4,600 zł |
| 5000+ | 4,520 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
11,94 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaIRF740ASPBF
Nr katalogowy Farnell8657815
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds400V
Prąd ciągły Id drenu10A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.55ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy125W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- N-channel power MOSFET in D2PAK (TO-263) package
- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
- Used in Switch Mode Power Supply (SMPS), uninterruptible power supply and high speed power switching
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
10A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
125W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
400V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.55ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IRF740ASPBF
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Israel
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Israel
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0018
Śledzenie produktu