Drukuj stronę
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
113 189 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 2,080 zł |
| 10+ | 1,360 zł |
| 100+ | 0,910 zł |
| 500+ | 0,720 zł |
| 1000+ | 0,650 zł |
| 5000+ | 0,450 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
10,40 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI2312CDS-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell1858940
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu6A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0318ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs450mV
Rozproszenie mocy1.25W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The SI2312CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch for portable applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
6A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
1.25W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0318ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
450mV
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI2312CDS-T1-GE3
Znaleziono 5 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000045