Drukuj stronę
SI3122DV-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 1.34 A, 0.16 ohm, TSOP, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI3122DV-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell4349348
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
Rodzaje opakowania
Dostępne do zamówienia
Zgłoś tutaj swoje zainteresowanie
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 3,150 zł |
| 10+ | 1,940 zł |
| 100+ | 1,280 zł |
| 500+ | 1,000 zł |
| 1000+ | 0,920 zł |
| 5000+ | 0,780 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
15,75 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI3122DV-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell4349348
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu1.34A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.16ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSOP
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy1.34W
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrenchFET Series
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
1.34A
Rodzaj obudowy tranzystora
TSOP
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1.34W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.16ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
TrenchFET Series
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000013
Śledzenie produktu