Drukuj stronę
9 736 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 2,140 zł |
| 50+ | 1,300 zł |
| 100+ | 0,850 zł |
| 500+ | 0,620 zł |
| 1500+ | 0,580 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
10,70 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI3493DDV-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2729833
Asortyment produktówTrenchFET
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu8A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.024ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSOP
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy3.6W
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrenchFET
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- 20V, 8A P-channel TrenchFET® Gen III power MOSFET in 6 pin TSOP package
- RDS(on) rating at VGS = -1.8V
- 100 % Rg and UIS tested
- Used for battery management in mobile devices, battery switch, load switch and PA switch
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
8A
Rodzaj obudowy tranzystora
TSOP
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
3.6W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.024ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
TrenchFET
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI3493DDV-T1-GE3
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Israel
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Israel
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000013
Śledzenie produktu