Drukuj stronę
SI4162DY-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
73 235 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,950 zł |
| 500+ | 1,460 zł |
| 1000+ | 1,330 zł |
| 5000+ | 1,060 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
215,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI4162DY-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell1779240RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu19.3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”7900µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy5W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SI4162DY-T1-GE3 jest N-kanałowym, wzbogaconym MOSFET-em mocy, odpowiednim do aplikacji konwersji DC na DC.
- W 100% testowany pod kątem Rg
- W 100% testowany pod kątem UIS
- Bezhalogenowe
- Zakres temperatury pracy -55 do 150°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
19.3A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
7900µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI4162DY-T1-GE3
Znaleziono 7 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000134
Śledzenie produktu