Drukuj stronę
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 20 V, 60 A, 1950 µohm, PowerPAK SO, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
27 710 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 10,040 zł |
| 10+ | 7,220 zł |
| 100+ | 4,980 zł |
| 500+ | 3,960 zł |
| 1000+ | 3,790 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
10,04 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI7137DP-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2335354
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu60A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1950µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK SO
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.4V
Rozproszenie mocy104W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SI7137DP-T1-GE3 jest P-kanałowym MOSFET-em mocy TrenchFET® Gen III -20V, który jest wykorzystywany do przełączania zasilacza, baterii oraz obciążenia.
- Bezhalogenowy, zgodnie z definicją IEC 61249-2-21
- W 100% testowany pod kątem Rg
- W 100% testowany pod kątem UIS
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
60A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK SO
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
104W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1950µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.4V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI7137DP-T1-GE3
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001