Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentVISHAY
Nr części producentaSIRA90ADP-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell3587055
Asortyment produktówTrenchFET Gen IV
Karta katalogowa
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSIRA90ADP-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell3587055
Asortyment produktówTrenchFET Gen IV
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu334A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”780µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK SO
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.2V
Rozproszenie mocy104W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrenchFET Gen IV
Kwalifikacja-
Substancje SVHCTo Be Advised
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SIRA90ADP-T1-GE3
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
334A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK SO
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
104W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
780µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.2V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
TrenchFET Gen IV
Substancje SVHC
To Be Advised
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu