Drukuj stronę
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
36 091 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 2,210 zł |
| 10+ | 1,820 zł |
| 100+ | 1,370 zł |
| 500+ | 1,090 zł |
| 1000+ | 0,910 zł |
| 5000+ | 0,820 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
2,21 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSIS412DN-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell1779238
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu12A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK 1212
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy15.6W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacja
The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
12A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK 1212
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
15.6W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.02ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SIS412DN-T1-GE3
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000076
Śledzenie produktu