Drukuj stronę
SIS590DN-T1-GE3
Podwójny MOSFET, kanał N i P, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentVISHAY
Nr części producentaSIS590DN-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell3765824RL
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
5 330 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,360 zł |
| 500+ | 1,720 zł |
| 1000+ | 1,560 zł |
| 5000+ | 1,330 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
256,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSIS590DN-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell3765824RL
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
Typ kanałukanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N100V
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu4A
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N4A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.197ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.197ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK 1212
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N23.1W
Rozproszenie mocy, kanał typu P23.1W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrenchFET Series
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
N- and P-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as DC/DC converters, active clamp, brushless DC motors, AC/DC inverter and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFETs
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.197ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
23.1W
Asortyment produktów
TrenchFET Series
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
100V
Prąd ciągły Id drenu
4A
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.197ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK 1212
Rozproszenie mocy, kanał typu N
23.1W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005
Śledzenie produktu