Drukuj stronę
SQJ560EP-T1_GE3
Podwójny MOSFET, Komplementarny kanał N i P, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentVISHAY
Nr części producentaSQJ560EP-T1_GE3
Nr katalogowy Farnell3019154
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
2 902 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 8,360 zł |
| 10+ | 5,320 zł |
| 100+ | 3,610 zł |
| 500+ | 2,870 zł |
| 1000+ | 2,650 zł |
| 5000+ | 2,320 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
8,36 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSQJ560EP-T1_GE3
Nr katalogowy Farnell3019154
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
Typ kanałuKomplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N30A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P30A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N9900µohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P9900µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK SO
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N34W
Rozproszenie mocy, kanał typu P34W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówTrenchFET Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Komplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
30A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
9900µohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
34W
Asortyment produktów
TrenchFET Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
30A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
9900µohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK SO
Rozproszenie mocy, kanał typu N
34W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu