Drukuj stronę
TSHG6200
Emiter podczerwieni, duża prędkość, 850 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 20 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 16 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,610 zł |
| 10+ | 3,980 zł |
| 25+ | 3,650 zł |
| 50+ | 3,310 zł |
| 100+ | 2,980 zł |
| 500+ | 2,540 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
5,61 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaTSHG6200
Nr katalogowy Farnell1703549
Karta katalogowa
Szczytowa długość fali850nm
Kąt intensywności połówkowej10°
Rodzaj obudowy diodyT-1 3/4 (5mm)
Intensywność promieniowania20mW/Sr
Czas narastania20ns
Czas opadania tf13ns
Prąd przewodzenia If(AV)100mA
Napięcie przewodzenia VF, maks.1.5V
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacja
The TSHG6200 is a 850nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras and high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
- ±10° Angle of half intensity
Specyfikacje techniczne
Szczytowa długość fali
850nm
Rodzaj obudowy diody
T-1 3/4 (5mm)
Czas narastania
20ns
Prąd przewodzenia If(AV)
100mA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Kąt intensywności połówkowej
10°
Intensywność promieniowania
20mW/Sr
Czas opadania tf
13ns
Napięcie przewodzenia VF, maks.
1.5V
Temperatura robocza, maks.
85°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000363
Śledzenie produktu