C2M0080120D
MOSFET - węglik krzemu, pojedyncze, Kanał typu N, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
150 Można teraz zarezerwować na zapas
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 118,240 zł |
| 5+ | 116,260 zł |
| 10+ | 114,240 zł |
| 50+ | 97,230 zł |
| 100+ | 80,220 zł |
Informacje o produkcie
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze C2M0080120D
Znaleziono 4 produktów
Specyfikacja
C2M0080120D firmy Cree to Z-FET drugiej generacji, tj. przewlekany, N-kanałowy MOSFET mocy z węgliku krzemu w obudowie TO-247. MOSFET ten posiada technologię C2M SiC MOSFET, wysoką wartość napięcia blokującego z niską rezystancją trybu „on”, przełączaniem dużej prędkości przy małych pojemnościach (łatwych do ustawienia równoległego i sterowania), solidnością typu lawinowego, wytrzymałością na przeskakiwanie, wyższą wydajnością systemową, zwiększonymi wymogami chłodzenia oraz zwiększoną gęstością mocy. Zastosowania to m.in.: inwertery solarne, zasilacze impulsowe, wysokonapięciowe przetwornice DC-DC oraz ładowarki baterii.
- Napięcie dren-źródło (Vds): 1.2kV
- Ciągły prąd drenu: 36A
- Strata mocy: 192W
- Robocza temperatura spoinowa: od -55°C do 150°C
- Niska rezystancja stanu „on”: 80mohm przy Vgs 20V
Specyfikacje techniczne
pojedyncze
31.6A
0.08ohm
3Pins
3.2V
150°C
-
Kanał typu N
1.2kV
TO-247
20V
208W
-
No SVHC (15-Jan-2019)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu