DS1220AB-150+

DS1220AB-150+ to nieulotna pamięć SRAM 16K w 24-pinowej obudowie EDIP. Ta w pełni statyczna, nieulotna pamięć SRAM (16384 bitów) jest zorganizowana w układzie 2048 słów x 8 bitów. Posiada samodzielne, litowe źródło zasilania i obwód sterowania, który stale monitoruje VCC pod kątem przekroczenia zakresu tolerancji. W przypadku, gdy wystąpi taka sytuacja, źródło zasilania jest automatycznie włączane. Ochrona przed zapisem jest bezwarunkowo uruchamiana, aby zapobiec uszkodzeniu danych. Litowe źródło energii jest rozłączane elektrycznie dla zachowania świeżości aż do momentu zastosowania zasilania po raz pierwszy. Nieulotna pamięć SRAM może być używana zamiast pamięci SRAM 2K x 8, zgodnych z popularną, 24-pinową obudową DIP typu bytewide. Układ ma również zgodność pinową z EPROM 2716 i EEPROM 2816, pozwalając na bezpośrednią zamianę przy jednoczesnym zwiększeniu wydajności. Nie ma ograniczenia w liczbie cykli zapisu, które mogą być wykonane. Nie jest także wymagany dodatkowy obwód pomocniczy dla łączenia mikroprocesora.

• Zakres napięcia zasilania od 4,75V do 5,25V
• Zakres temperatury roboczej od 0°C do 70°C
• Minimalne zatrzymywanie danych: 10 lat przy braku zasilania zewnętrznego
• Dane są automatycznie chronione przy utracie zasilania
• Technologia CMOS małej mocy
• Czas dostępu do odczytu i zapisu: 150ns
• Napięcie ochrony przed zapisem: 4.62V
• Pojemność wejścia / wyjścia: 5pF

Ostrzeżenia

Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.

Uwagi

Produkty ADI są autoryzowane (i sprzedawane) wyłącznie do użytku przez klienta i nie mogą być odsprzedawane ani w żaden inny sposób przekazywane osobom trzecim.