DS1230AB-100+

DS1230AB-100+ to nieulotna pamięć SRAM 256kB w 28-pinowej obudowie EDIP. Ta w pełni statyczna, nieulotna pamięć SRAM (262144 bitów) jest zorganizowana w układzie 32768 słów x 8 bitów. NV SRAM posiada samodzielne, litowe źródło zasilania i obwód sterowania, który stale monitoruje VCC pod kątem przekroczenia zakresu tolerancji. W przypadku, gdy wystąpi taka sytuacja, źródło zasilania jest automatycznie włączane. Ochrona przed zapisem jest bezwarunkowo uruchamiana, aby zapobiec uszkodzeniu danych. Układ ten może być używany zamiast pamięci SRAM 32K x 8, zgodnych z popularną, 28-pinową obudową DIP typu bytewide. Układ DIP ma dopasowanie do układu pinowego pamięci EEPROM 28256, pozwalając na bezpośrednią podmianę przy jednoczesnym zwiększeniu wydajności. Układ ten posiada niskoprofilową obudowę modułową, jest zaprojektowany konkretnie do aplikacji montowanych powierzchniowo. Nie ma ograniczenia w liczbie cykli zapisu, które mogą być wykonane. Nie jest także wymagany dodatkowy obwód pomocniczy dla łączenia mikroprocesora.

• Zakres napięcia zasilania od 4,75V do 5,25V
• Zakres temperatury roboczej od 0°C do 70°C
• Zamiennik dla ulotnej statycznej pamięci RAM, EEPROM lub Flash (32K x 8)
• Nieograniczone cykle zapisu
• CMOS małej mocy
• Czas dostępu do odczytu i zapisu: 100ns
• Litowe źródło energii jest rozłączane dla zachowania świeżości aż do momentu zastosowania zasilania po raz pierwszy.

Ostrzeżenia

Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.

Uwagi

Produkty ADI są autoryzowane (i sprzedawane) wyłącznie do użytku przez klienta i nie mogą być odsprzedawane ani w żaden inny sposób przekazywane osobom trzecim.