Potrzebujesz więcej?
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 4,260 zł |
10+ | 2,850 zł |
100+ | 2,700 zł |
500+ | 2,540 zł |
1000+ | 2,460 zł |
5000+ | 2,400 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The TISP6NTP2CDR-S is a quad forward-conducting P-gate high voltage ringing Thyristor SLIC Protector with twin commoned gates and a common anode connection. The thyristor cathode has a separate terminal connection. An antiparallel anode-cathode diode is connected across each thyristor. The buffer transistors reduce the gate supply current. The programmable overvoltage protector protects the two POTS line SLICs against overvoltage caused by lightning, AC power contact and induction. Positive overvoltage are clipped to common by forward conduction of the TISP6NTP2C antiparallel diode. Negative overvoltage is initially clipped close to the SLIC negative supply by emitter follower action of the buffer transistor. If sufficient clipping current flows, the thyristor will regenerate and switch into a low voltage ON-state condition. As the overvoltage subsides, the high holding current of the thyristor helps prevent DC latch-up.
- Independent tracking overvoltage protection for two SLICs
- Dual voltage-programmable protector
- Supports battery voltage down to -155V
- 5mA Maximum low gate triggering current
- 150mA Minimum high holding current (70°C)
- Specified 2/10 limiting voltage
- 0 to 70°C Temperature range
Specyfikacje techniczne
-
SOIC
15V
-
-
8Pins
Ochronnik SLIC
2Circuits
-170V
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (4)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Great Britain
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu