CY62128ELL-45SXI

CY62128ELL-45SXI to wysokowydajna pamięć SRAM 1MB CMOS. Jest zorganizowana w układzie 128K słów x 8 bitów. Układ ma zaawansowaną strukturę dla zapewnienia ultraniskiego prądu aktywnego. Jest idealny dla zapewnienia dłuższej żywotności baterii (More Battery Life™ - MoBL®) w aplikacjach przenośnych. Układ wyposażony jest również w funkcję wyłączania automatycznego, która znacznie ogranicza zużycie energii, gdy adresy nie są przełączane. Przejście układu w stan czuwania redukuje zużycie energii o <gt/>99% przy odznaczeniu. 8 pinów wejściowych i wyjściowych umieszczonych jest w stanie wysokiej impedancji, gdy układ jest odznaczony, wyjścia są wyłączone lub operacja zapisu jest w trakcie. Zapis układu odbywa się po przejściu wejść typu chip enable i write enable w stan niski. Odczyt możliwy jest po przejściu opcji chip enable i output enable w stan niski, przy jednoczesnym wymuszeniu przejścia opcji write enable w stan wysoki. W tych warunkach treść pamięci jest określona przez piny adresowe na pinach wejścia / wyjścia.

• Bardzo duża prędkość: 45ns
• Kompatybilny pinowo z CY62128B
• Ultraniska moc czuwania
• Ultraniska moc aktywna
• Łatwe rozszerzenie pamięci za pomocą CE1, CE2 oraz OE
• Automatyczne wyłączanie przy zmianie wyboru
• CMOS dla optymalnej prędkości / mocy