CY62157EV30LL-45ZSXIT

CY62157EV30LL-45ZSXIT to wysokowydajna, statyczna pamięć RAM CMOS zorganizowana jako 512 tys. słów po 16 bitów. Ma zaawansowaną konstrukcję obwodów i zapewnia ultraniski prąd aktywny. Dodaje funkcję More Battery Life™ (MoBL®) do aplikacji przenośnych, takich jak telefony komórkowe. Funkcja automatycznego wyłączania zasilania znacząco zmniejsza zużycie energii, gdy adresy nie są przełączane. Przełącza urządzenie w tryb gotowości, gdy jest wyłączone (aktywne w stanie niskim CE1 HIGH lub CE2 LOW lub oba aktywne w stanie niskim BHE i aktywne w stanie niskim BLE są HIGH). Piny wejściowe lub wyjściowe (I/O0 do I/O15) są umieszczane w stanie wysokiej impedancji, gdy urządzenie jest wyłączone (aktywny w stanie niskim CE1 HIGH lub CE2 LOW), wyjścia są wyłączone (aktywny w stanie niskim OE HIGH), bajt wysoki enable i bajt niski enable są wyłączone (aktywny w stanie niskim BHE, aktywny w stanie niskim BLE HIGH) lub operacja zapisu jest aktywna (aktywny w stanie niskim CE1 LOW, CE2 HIGH i aktywny w stanie niskim WE LOW). Obszary zastosowania obejmują inteligentne budynki, zasilacze UPS.

• Szeroki zakres napięcia: od 2,20 V do 3,60 V
• Łatwa rozbudowa pamięci dzięki funkcjom aktywnemu w stanie niskim CE1, aktywnemu w stanie niskim CE2 i aktywnemu w stanie niskim OE
• Automatyczne wyłączanie przy zmianie wyboru
• Układ CMOS zapewniający optymalną prędkość i moc
• Typowy prąd czuwania wynosi 2µA
• Gęstość magistrali 8 Mbit, szerokość × 16
• Klasa prędkości 45ns
• Obudowa TSOP typu II 44-pinowa
• Zakres temperatury przemysłowej: od -40°C do 85°C