Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaBC817-25-7-F
Nr katalogowy Farnell3127233RL
Asortyment produktówBC817
Karta katalogowa
4 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,220 zł |
| 1500+ | 0,190 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
130,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaBC817-25-7-F
Nr katalogowy Farnell3127233RL
Asortyment produktówBC817
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter45V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo45V
Prąd kolektora DC500mA
Prąd ciągły kolektora500mA
Rozpraszanie mocy Pd310mW
Rozproszenie mocy310mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft100MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE160hFE
Wzmocnienie prądu DC hFE160hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówBC817
Kwalifikacja-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
BC817-25-7-F is a NPN small signal transistor.
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Ideally suited for automatic insertion
- Epitaxial planar die construction
- For switching and AF amplifier applications
- Power dissipation is 310mW at TA = +25°C
- Collector-base breakdown voltage is 50V min at IC = 100µA, TA = +25°C
- Gain bandwidth product is 100MHz min at VCE = 5.0V, IC = 10mA, f = 50MHz
- Collector-base capacitance is 12pF max at VCB = 10V, f = 1.0MHz, TA = +25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -65 to +150°C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
45V
Prąd ciągły kolektora
500mA
Rozproszenie mocy
310mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
100MHz
Wzmocnienie prądu DC hFE
160hFE
Asortyment produktów
BC817
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter
45V
Prąd kolektora DC
500mA
Rozpraszanie mocy Pd
310mW
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
160hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BC817-25-7-F
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004536