Drukuj stronę
BSS138-7-F
MOSFET mocy, Kanał typu N, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
437 535 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,190 zł |
| 1000+ | 0,170 zł |
| 5000+ | 0,120 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
115,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaBSS138-7-F
Nr katalogowy Farnell1843693RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds50V
Prąd ciągły Id drenu200mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3.5ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.2V
Rozproszenie mocy300mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
BSS138-7-F to N-kanałowy tranzystor wzbogacany MOSFET 50V z matowymi końcówkami cynowanymi. Końcówki mają możliwość lutowania zgodnie z MIL-STD-202, metoda 208. Obudowa wykonana jest z formowanego tworzywa sztucznego (UL94V-0). MOSFET ma niskie napięcie progu bramki, dużą prędkość przełączania oraz niską pojemność wejściową.
- Niska rezystancja w trybie „on”
- Niski upływ wejścia/wyjścia
- Bez halogenu i antymonu
- Układ ekologiczny
- Kwalifikacja wg norm AEC-Q101 dla wysokiej niezawodności
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
200mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
300mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
50V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3.5ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.2V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BSS138-7-F
Znaleziono 8 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008