Drukuj stronę
DMC2038LVT-7
Podwójny MOSFET, Komplementarny kanał N i P, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
18 154 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,760 zł |
| 50+ | 1,090 zł |
| 100+ | 0,690 zł |
| 500+ | 0,520 zł |
| 1500+ | 0,440 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
8,80 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaDMC2038LVT-7
Nr katalogowy Farnell3127305
Karta katalogowa
Typ kanałuKomplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N20V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N3.7A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P2.6A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.035ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.074ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSOT-26
Liczba pinów6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N800mW
Rozproszenie mocy, kanał typu P800mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Komplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
2.6A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.074ohm
Liczba pinów
6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
800mW
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
3.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.035ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TSOT-26
Rozproszenie mocy, kanał typu N
800mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000112
Śledzenie produktu