Drukuj stronę
DMTH10H017LPD-13
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaDMTH10H017LPD-13
Nr katalogowy Farnell3405248
Karta katalogowa
2 133 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 7,260 zł |
| 10+ | 5,060 zł |
| 100+ | 3,520 zł |
| 500+ | 2,650 zł |
| 1000+ | 2,450 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
7,26 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaDMTH10H017LPD-13
Nr katalogowy Farnell3405248
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N100V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N59A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P59A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.0137ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.0137ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerDI5060
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N2.6W
Rozproszenie mocy, kanał typu P2.6W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
59A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.0137ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
2.6W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
59A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.0137ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerDI5060
Rozproszenie mocy, kanał typu N
2.6W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0002
Śledzenie produktu