Drukuj stronę
FZT658TA
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
624 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,640 zł |
| 500+ | 1,310 zł |
| 1000+ | 1,140 zł |
| 5000+ | 0,950 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
184,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaFZT658TA
Nr katalogowy Farnell3127398RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter400V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo400V
Prąd kolektora DC500mA
Prąd ciągły kolektora500mA
Rozpraszanie mocy Pd3W
Rozproszenie mocy3W
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft50MHz
Wzmocnienie prądu DC hFE50hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE50hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
400V
Prąd ciągły kolektora
500mA
Rozproszenie mocy
3W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
50MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
50hFE
Asortyment produktów
-
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter
400V
Prąd kolektora DC
500mA
Rozpraszanie mocy Pd
3W
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Liczba pinów
3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE
50hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000112
Śledzenie produktu