Drukuj stronę
MMBT2907A-7-F
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 60 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
227 988 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,500 zł |
| 50+ | 0,310 zł |
| 100+ | 0,210 zł |
| 500+ | 0,150 zł |
| 1500+ | 0,140 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,50 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaMMBT2907A-7-F
Nr katalogowy Farnell1773627
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter60V
Prąd ciągły kolektora600mA
Rozproszenie mocy310mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft200MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MMBT2907A-7-F is a PNP small signal Bipolar Transistor offers -600mA collector current and -60V collector-base voltage. It is ideal for low power amplification and switching.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- MMBT2222A Complementary NPN type
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
600mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
60V
Rozproszenie mocy
310mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
200MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000159
Śledzenie produktu