Drukuj stronę
MMDT5551-7-F
Sieć tranzystorów bipolarnych, podwójny, Podwójny NPN, 160 V, 200 mA, 200 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
104 284 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,490 zł |
| 10+ | 0,790 zł |
| 100+ | 0,530 zł |
| 500+ | 0,370 zł |
| 1000+ | 0,340 zł |
| 5000+ | 0,230 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
7,45 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaMMDT5551-7-F
Nr katalogowy Farnell1773597
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN160V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN200mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN200mW
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN80hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN300MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MMDT5551-7-F to układ podwójnego, małosygnałowego tranzystora bipolarnego PNP do montażu powierzchniowego, który oferuje prąd kolektora 200mA oraz napięcie kolektor-podstawa 180V. Idealny do wzmacniania średniej mocy oraz przełączania.
- Klasa palności: UL94V-0
- Konstrukcja epitaksjalno-planarna
- Bardzo mała obudowa do montażu powierzchniowego
- Układ ekologiczny
- MMDT5401 jest uzupełnieniem PNP
- Zakres temperatury pracy -55 do 150°C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
160V
Prąd ciągły kolektora, NPN
200mA
Rozproszenie mocy, NPN
200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
80hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
300MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000064
Śledzenie produktu