Drukuj stronę
ZVP2106G
MOSFET mocy, Kanał typu P, 60 V, 450 mA, 5 ohm, SOT-223, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
295 W Magazynie
1 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3,110 zł |
| 10+ | 2,770 zł |
| 50+ | 2,760 zł |
| 200+ | 2,250 zł |
| 500+ | 1,880 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
3,11 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaZVP2106G
Nr katalogowy Farnell9525050
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu450mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”5ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.5V
Rozproszenie mocy2W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
ZVP2106G to pionowy, P-kanałowy DMOSFET -60 V z kanałem wzbogaconym, zaprojektowany do zminimalizowania rezystancji trybu „on" przy zachowaniu najlepszej wydajności przełączania - sprawiając, że jest idealny do aplikacji zarządzania zasilaniem o dużej wydajności.
- Niska rezystancja w trybie „on"
- Duża prędkość przełączania
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Klasa palności: UL94V-0
- Bezhalogenowe
- Produkt ekologiczny
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
450mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
2W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
5ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3.5V
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze ZVP2106G
Znaleziono 2 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00012
Śledzenie produktu