Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 663 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
5+ | 4,100 zł |
50+ | 2,650 zł |
100+ | 1,760 zł |
500+ | 1,350 zł |
1500+ | 1,220 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
20,50 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaZXTD4591E6TA
Nr katalogowy Farnell1843756
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKomplementarny NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN60V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP60V
Prąd ciągły kolektora, NPN1A
Prąd ciągły kolektora, PNP1A
Rozproszenie mocy, NPN1.1W
Rozproszenie mocy, PNP1.1W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN100hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP100hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN180MHz
Częstotliwość przejścia, PNP150MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The ZXTD4591E6TA is a NPN-PNP complementary medium power Bipolar Transistor Array offers 1 and -1A continuous collector current respectively. It is suitable for MOSFET gate driver, low power motor drive and DC-to-DC converters.
- UL94V-0 Flammability rating
- Low saturation voltage (500mV and -600mV maximum @ 1A for NPN and PNP)
- hFE characterised up to 2A (for NPN and PNP)
- 210mΩ and 355mΩ RSAT @1A for a low equivalent ON-resistance (NPN and PNP)
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Komplementarny NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
60V
Prąd ciągły kolektora, PNP
1A
Rozproszenie mocy, PNP
1.1W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
100hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
150MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
60V
Prąd ciągły kolektora, NPN
1A
Rozproszenie mocy, NPN
1.1W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
100hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
180MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000353
Śledzenie produktu