Drukuj stronę
BFR181WH6327XTSA1
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR181WH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2617458
Inna nazwaBFR 181W H6327, SP000750418
Karta katalogowa
8 970 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,480 zł |
| 50+ | 0,320 zł |
| 250+ | 0,250 zł |
| 1000+ | 0,220 zł |
| 5000+ | 0,200 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,40 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR181WH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2617458
Inna nazwaBFR 181W H6327, SP000750418
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter12V
Częstotliwość przejścia ft8GHz
Rozproszenie mocy175mW
Prąd ciągły kolektora20mA
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Liczba pinów3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Low noise silicon bipolar RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA.
- fT = 8GHz, NFmin = 0.9dB at 900MHz
- Easy to use
- Qualification report according to AEC-Q101
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
8GHz
Prąd ciągły kolektora
20mA
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
12V
Rozproszenie mocy
175mW
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001
Śledzenie produktu