Drukuj stronę
BFS483H6327XTSA1
Bipolarny tranzystor RF, Podwójny NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFS483H6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480691RL
Inna nazwaBFS 483 H6327, SP000750464
Karta katalogowa
2 850 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,320 zł |
| 500+ | 1,190 zł |
| 1000+ | 1,170 zł |
| 5000+ | 1,140 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
152,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFS483H6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480691RL
Inna nazwaBFS 483 H6327, SP000750464
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter12V
Częstotliwość przejścia ft8GHz
Rozproszenie mocy450mW
Prąd ciągły kolektora65mA
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE70hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Two (galvanic) internal isolated transistor in one package
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Częstotliwość przejścia ft
8GHz
Prąd ciągły kolektora
65mA
Liczba pinów
6Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
12V
Rozproszenie mocy
450mW
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
70hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000004
Śledzenie produktu