Drukuj stronę
FF400R17KE4HOSA1
moduł IGBT, podwójna (półmostkowa), 400 A, 1.95 V, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF400R17KE4HOSA1
Nr katalogowy Farnell2781229
Asortyment produktówStandard 62mm C
Inna nazwaFF400R17KE4, SP001500350
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 16 tydzień (tygodnie)
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 615,110 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 10
Wiele: 10
6 151,10 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF400R17KE4HOSA1
Nr katalogowy Farnell2781229
Asortyment produktówStandard 62mm C
Inna nazwaFF400R17KE4, SP001500350
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny kanał N
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Prąd ciągły kolektora400A
Prąd kolektora DC400A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.95V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Straty mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.7kV
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter1.7kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówStandard 62mm C
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny kanał N
Prąd ciągły kolektora
400A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.95V
Straty mocy Pd
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.7kV
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
Standard 62mm C
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC
400A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.7kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.015