Drukuj stronę
FF600R12KE4BOSA1
moduł IGBT, Trench/Fieldstop, podwójna (półmostkowa), 600 A, 1.75 V, 150 °C, Moduł
9 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 687,780 zł |
| 5+ | 665,410 zł |
| 10+ | 643,000 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
687,78 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF600R12KE4BOSA1
Nr katalogowy Farnell2803384
Asortyment produktów62mm C
Inna nazwaFF600R12KE4, SP001500368
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC600A
Prąd ciągły kolektora600A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.75V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.75V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTtypu płaskiego
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów62mm C
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT 4 and emitter controlled 4 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
- Extended operating temperature Tvjop
- Low switching losses
- Low VCEsat
- Unbeatable robustness
- VCEsat with positive temperature coefficient
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- High power density
- Isolated base plate
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC
600A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.75V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Zakończenie IGBT
typu płaskiego
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
62mm C
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
600A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.75V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000308
Śledzenie produktu