Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF75R12W1T7EB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell4588727
Asortyment produktówEasyDUAL Series
Inna nazwaFF75R12W1T7E_B11, SP005751880
Karta katalogowa
20 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 182,730 zł |
5+ | 172,810 zł |
10+ | 162,850 zł |
50+ | 162,810 zł |
100+ | 159,560 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
182,73 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF75R12W1T7EB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell4588727
Asortyment produktówEasyDUAL Series
Inna nazwaFF75R12W1T7E_B11, SP005751880
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójne
Prąd ciągły kolektora65A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.55V
Rozproszenie mocy-
Temperatura robocza, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 7 [Trench]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEasyDUAL Series
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
FF75R12W1T7EB11BPSA1 is an EasyDUAL™ 1B, 1200V, 75A common emitter IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT T7, EC7, PressFIT pin and NTC. Suitable for motor drives, air conditioning, auxiliary inverters, servo drives and UPS systems applications.
- Electrical features: VCES = 1200V
- IC nom = 75A/ICRM = 150A
- Overload operation up to 175°C and low VCE,sat
- Mechanical features: high power density, compact design
- Al2O3 substrate with low thermal resistance
- PressFIT contact technology
- 2.5KV AC 1 minute insulation and integrated NTC temperature sensor
- Easy family with 12mm height
- Easy to design, increased power density, best cost-performance and reduced system costs
- 1.55V typ collector-emitter saturation voltage at IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójne
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.55V
Temperatura robocza, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 7 [Trench]
Asortyment produktów
EasyDUAL Series
Prąd ciągły kolektora
65A
Rozproszenie mocy
-
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu