Drukuj stronę
FR900R12IP4DBPSA1
moduł IGBT, podwójna, hamowanie-chopper, 900 A, 1.7 V, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFR900R12IP4DBPSA1
Nr katalogowy Farnell3577300
Asortyment produktówPrimePACK 3
Inna nazwaFR900R12IP4D, SP000905656
Karta katalogowa
2 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3 726,890 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
3 726,89 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFR900R12IP4DBPSA1
Nr katalogowy Farnell3577300
Asortyment produktówPrimePACK 3
Inna nazwaFR900R12IP4D, SP000905656
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna, hamowanie-chopper
Prąd kolektora DC900A
Prąd ciągły kolektora900A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.7V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.7V
Straty mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTtypu płaskiego
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówPrimePACK 3
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna, hamowanie-chopper
Prąd ciągły kolektora
900A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.7V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
typu płaskiego
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd kolektora DC
900A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.7V
Straty mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
PrimePACK 3
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.01
Śledzenie produktu