Drukuj stronę
FZ2000R33HE4BOSA1
moduł IGBT, przełącznik pojedynczy, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFZ2000R33HE4BOSA1
Nr katalogowy Farnell3324632
Asortyment produktówIHM-B Series
Inna nazwaFZ2000R33HE4, SP003062218
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 52 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 9 431,700 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
9 431,70 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFZ2000R33HE4BOSA1
Nr katalogowy Farnell3324632
Asortyment produktówIHM-B Series
Inna nazwaFZ2000R33HE4, SP003062218
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTprzełącznik pojedynczy
Prąd kolektora DC2kA
Prąd ciągły kolektora2kA
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)2.2V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.45V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTtypu płaskiego
Maks. napięcie kolektor-emiter3.3kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo3.3kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówIHM-B Series
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
przełącznik pojedynczy
Prąd ciągły kolektora
2kA
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.45V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
typu płaskiego
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
3.3kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd kolektora DC
2kA
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
2.2V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
3.3kV
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
IHM-B Series
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):1.151
Śledzenie produktu