Drukuj stronę
IAUCN04S7N040DATMA1
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 40 V, 60 A, 0.00404 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIAUCN04S7N040DATMA1
Nr katalogowy Farnell4551026
Asortyment produktówOptiMOS Series
Karta katalogowa
4 200 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,490 zł |
| 10+ | 3,840 zł |
| 100+ | 2,980 zł |
| 500+ | 2,530 zł |
| 1000+ | 2,060 zł |
| 5000+ | 1,870 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
5,49 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIAUCN04S7N040DATMA1
Nr katalogowy Farnell4551026
Asortyment produktówOptiMOS Series
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N40V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P-
Prąd ciągły Id drenu, kanał N60A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.00404ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P-
Rodzaj obudowy tranzystoraTDSON
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N51W
Rozproszenie mocy, kanał typu P-
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
-
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
-
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
-
Asortyment produktów
OptiMOS Series
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
40V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
60A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.00404ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TDSON
Rozproszenie mocy, kanał typu N
51W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Austria
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Austria
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu