Drukuj stronę
IDD04SG60CXTMA2
Dioda Schottky'ego krzemowo-karbidowa, thinQ Gen III Series, Pojedyncze, 600 V, 4 A, 4.5 nC
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIDD04SG60CXTMA2
Nr katalogowy Farnell2895616RL
Asortyment produktówthinQ Gen III Series
Inna nazwaIDD04SG60C, SP001633156
Karta katalogowa
13 455 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 4,390 zł |
| 500+ | 3,600 zł |
| 1000+ | 3,510 zł |
| 5000+ | 3,100 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
459,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIDD04SG60CXTMA2
Nr katalogowy Farnell2895616RL
Asortyment produktówthinQ Gen III Series
Inna nazwaIDD04SG60C, SP001633156
Karta katalogowa
Asortyment produktówthinQ Gen III Series
Konfiguracja diodyPojedyncze
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne600V
Średni prąd przewodzenia4A
Całkowity ładunek pojemnościowy Qc4.5nC
Rodzaj obudowy diodyTO-252 (DPAK)
Liczba pinów3 piny
Temperatura robocza, maks.175°C
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<lt/>130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Specyfikacje techniczne
Asortyment produktów
thinQ Gen III Series
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne
600V
Całkowity ładunek pojemnościowy Qc
4.5nC
Liczba pinów
3 piny
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Konfiguracja diody
Pojedyncze
Średni prąd przewodzenia
4A
Rodzaj obudowy diody
TO-252 (DPAK)
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000907