Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIFF450B12ME4PB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell2986381
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Inna nazwaIFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Karta katalogowa
6 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 595,820 zł |
5+ | 583,920 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
595,82 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIFF450B12ME4PB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell2986381
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Inna nazwaIFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny kanał N
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC450A
Prąd ciągły kolektora450A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.75V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.75V
Straty mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny kanał N
Prąd kolektora DC
450A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.75V
Straty mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoDUAL 3
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd ciągły kolektora
450A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.75V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00036
Śledzenie produktu