Drukuj stronę
IGT60R190D1ATMA1
tranzystor GaN, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGT60R190D1ATMA1
Nr katalogowy Farnell4220238
Asortyment produktówCoolGaN Series
Karta katalogowa
1 953 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 24,270 zł |
| 10+ | 21,610 zł |
| 100+ | 19,120 zł |
| 500+ | 16,330 zł |
| 1000+ | 14,310 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
24,27 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGT60R190D1ATMA1
Nr katalogowy Farnell4220238
Asortyment produktówCoolGaN Series
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds600V
Prąd ciągły Id drenu12A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.14ohm
Rodzaj ładunku bramki (Qg)3.2nC
Rodzaj obudowy tranzystoraPG-HSOF-8-3
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów8Pins
Asortyment produktówCoolGaN Series
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
600V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.14ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PG-HSOF-8-3
Liczba pinów
8Pins
Kwalifikacja
-
Prąd ciągły Id drenu
12A
Rodzaj ładunku bramki (Qg)
3.2nC
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
CoolGaN Series
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001